聯電攜陸合作 經部:助建自有利基技術

聯電接受陸廠委託開發動態隨機存取記憶體(DRAM)相關製程技術,

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,經濟部今天指出,

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,雙方屬技術合作,

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,未涉及關鍵技術,

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,且除可收取權利金外,

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,還有助建立自有利基型DRAM技術。中國大陸積極投入記憶體領域發展,

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,由福建省政府投資的晉華集成電路找上聯電開發DRAM相關製程技術,

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,聯電表示,將在南科廠籌組超過 100人團隊,投入DRAM相關製程開發,由晉華提供DRAM特用設備,並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用,開發成果將由雙方共同擁有。經濟部工業局副局長呂正華表示,由於國內未有主要DRAM自主技術,目前主要技術掌握在美光、三星、海力士等公司,儘管國內有DRAM廠華亞科、台灣美光等公司,但皆屬於國外技術授權在台代工。呂正華指出,由於聯電在部分特殊利基型DRAM製程技術擁有相關能量,因此晉華集成電路找上聯電開發DRAM相關製程技術。呂正華強調,這次聯電與陸廠因未涉及關鍵技術、屬於單純技術合作,因此經聯電提出申請後,不必召開關鍵技術小組會議,投審會約今年3、4月來函詢問工業局、技術處意見,最後同意該合作案。對於這起技術合作案,呂正華認為,除了可收取權利金外,還有助於建立國內自有利基型DRAM技術,且沒有影響國內產業的問題。1050513(中央社),

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